Navzdory nedávným průlomům ve výzkumu perovskitů a organických sloučenin polovodičů nebylo nikdy dosaženo viditelné průhlednosti vyšší než 70 %. Japonští vědci se rozhodli vylepšit solární články na základě Schottkyho bariéry – potenciálové bariéry, která se objevuje v blízké kontaktní vrstvě polovodiče hraničícího s kovem. Základními použitými materiály byly oxid india a cínu – nejčastěji používaný z transparentních vodivých oxidů – a monovrstva disulfidu wolframu.
Japonští výzkumníci se pokusili vylepšit kontaktní vrstvu mezi součástmi. Díky tomu se jim podařilo pomocí další tenké vrstvy oxidu wolframu dosáhnout tisíckrát vyšší účinnosti přeměny elektrické energie než u článků s běžnými elektrodami z oxidu india a cínu. A pak nastal problém se škálováním technologie a jejím praktickým využitím.
